內(nèi)部集成 650V 高 MOSFET
集成高壓啟動和自供電電路
低待機(jī)功耗<100mW
優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)速度,輸出電壓紋波小
良好的負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率
降低音頻噪聲的降幅調(diào)制技術(shù)
自適應(yīng)開關(guān)頻率,最高 45KHZ
改善 EMI性能的頻率調(diào)制技術(shù)
內(nèi)置軟啟動功能
保護(hù)功能