內部集成650V高壓MOSFET
集成高壓啟動和自供電電路
低待機功耗<100mW
優異的動態響應速度,輸出電壓紋波小
良好的負載調整率和線性調整率
降低音頻噪聲的降幅調制技術
自適應開關頻率,最高45KHz
改善EMI性能的頻率調制技術
內置軟啟動功能
保護功能