內(nèi)部集成 700V 高壓 MOSFET
集成高壓?jiǎn)?dòng)和自供電電路
低待機(jī)功耗,<50mW@230VAC 輔助繞組供電,<150mW@230VA 高壓自供電
優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度,無輸出過沖
內(nèi)置軟啟動(dòng)功能
改善 EMI性能的頻率調(diào)制技術(shù)
高低壓腳之間爬電距離>3mm (DIP-7 封裝)
通過 MOSFET 源極 PCB 散熱,不影響 EMI
保護(hù)功能