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簡述
BP87526H 是一款高性能、高集成度、低待機功耗、高頻準諧振反激驅動芯片。內置 800V高壓 MOSFET,集成高壓啟動電路、高壓輔助供電電路,適用于高效率、小體積、高可靠性、寬輸出電壓范圍的 35~55 W 反激變換器應用。 BP87526H 支持自適應COT控制方式,接收和解調配對的副邊控制器發送到原邊的脈沖信號,同時檢測原邊漏極電壓谷底控制原邊功率管的開通,實現較高的效率。采用AdaptiveCOT控制方式和原副邊磁耦通訊,大幅度降低了控制電路的靜態工作電流,使得系統待機功耗小于30 mW,可以滿足待機功耗要求較高的應用場合。輔助供電引腳耐壓可達到150V,能滿足寬輸出電壓范圍。
優勢

    內置 800V高壓 MOSFET

    集成高壓啟動

    150V輔助供電耐壓,滿足寬輸出電壓范圍

    自適應 COT控制,快速的動態響應

    磁耦通訊實現超低待機功耗,<30 mW

    QR 谷底開通,優化效率和 EMI特性

    最高可達 140 kHz 開關頻率

應用領域
  • USB PD、QC充電器
  • 可編程 AC/DC 充電器
典型應用原理圖
封裝
技術文檔
文檔類型 標題 類型 文件下載
規格書 BP87526H pdf 完整版
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